Silikon karbida (SiC) dapat dimanfaatkan untuk berbagai aplikasi yang membutuhkan ketahanan panas dan keausan yang
tinggi, seperti perlengkapan dapur bertemperatur tinggi, elemen pemanas, piringan gerinda, dan bahan abrasif, varistor,
serta light emitting diode (LED).
SiC dapat dibuat dari bahan baku yang mengandung sumber silikon (Si) dan karbon (C). Melalui penelitian ini telah
berhasil dibuat SiC dari campuran serbuk kayu meranti sebagai sumber C dan serbuk Si sebagai sumber Si. Pembuatannya
terdiri dari dua tahap, yaitu pada tahap awal adalah proses pirolisa serbuk kayu dalam atmosfir nitrogen (N2) sampai
temperatur 1025oC untuk mendapatkan residu C yang kemudian dicampurkan dengan serbuk Si. Tahap pemanasan
berikutnya sampai pada temperatur 1575oC dalam atmosfir inert (Ar) dimaksudkan untuk mereaksikan Si dan C menjadi
SiC.
Hasil pengujian dengan X-ray Diffraction (XRD) menunjukkan pembentukan SiC sebagai fasa yang dominan. Di luar
dugaan juga didapatkan SiO2 yang diperkirakan karena masuknya O2 ke dalam dapur selama pemanasan.
